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http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/1332| Variación de la estructura electrónica del óxido de estaño dopado con zinc | |
| FELIPE CARLOS VASQUEZ VERONICA GALLEGOS OROZCO CARLOS ELIAS ORNELAS GUTIERREZ WILBER ANTUNEZ FLORES AUDEL SANTOS BELTRAN FRANCISCO PARAGUAY DELGADO | |
| Acceso Abierto | |
| Sin Derechos Reservados | |
| Estructura electrónica | |
| El estudio de la estructura electrónica de materiales es de importancia para diferentes aplicaciones tecnológicas. En particular el oxido de estaño (SnO2), es un semiconductor tipo n con un amplio Band Gap (Eg = 3.60eV a 300K), con estructura cristalina tipo casiterita, posee una excelente estabilidad en sus propiedades ópticas y electrónicas. Es bien conocido que las características físicas y químicas del SnO2 están relacionadas con el tamaño de partícula, forma geométrica y planos cristalográficos expuestos. Se han hecho muchos esfuerzos para sintetizar el SnO2 con diversidad de morfologías, y estudiar sus correspondientes propiedades químicas o físicas así como sus aplicaciones potenciales. Estos métodos involucran la evaporación térmica [1], ablación laser [2], método hidrotérmico [3] entre otras. Esta última técnica es un método sencillo para sintetizar SnO2 con diversas morfologías. | |
| 2012 | |
| Memoria de congreso | |
| Español | |
| OTRAS | |
| Versión revisada | |
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| Aparece en las colecciones: | Artículos de Congresos |
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| SnO2-Zn (1).pdf | 452.5 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |