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http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/1474| MICROSTRUCTURAL MODIFICATION OF Al/SiCP COMPOSITES TO AVOID Al4C3 VIA PRESSURELESS INFILTRATION | |
| MARIO RODRIGUEZ REYES JUAN ANDRES AGUILAR MARTINEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Sin Derechos Reservados | |
| Al/SiCp | |
| Ha sido posible minimizar la formación de productos de reacción perjudiciales en compósitos Al/SiCp por la presencia de silicio en el sistema, debido a la modificación en la microestructura. La modificación de la microestructura ocurre durante la infiltración reactiva de preformas SiCP:SiO2P con la aleación Al-10Mg-12.5Si (% e.p.), en atmósfera de nitrógeno. Los compósitos se caracterizaron por DRX, MO y MEB con facilidades para microanálisis por EDX. Se encontró que debido a la presencia de SiO2 en el sistema, es posible evitar la formación las fases perjudiciales (Al4C3) a altas temperaturas y tiempos largos de procesamiento. La formación de la fase MgAl2O4 (termodinámicamente estable), se atribuye a la alta reactividad de la sílice (SiO2) con la aleación de aluminio utilizada, generando el Si necesario para evitar la formación de la fase Al4C3. El material resultante es un compósito multifásico de matriz de aluminio. Adicionalmente, se encontró que debido a la formación de la fase MgAl2O4, la densidad de los compósitos se incrementa ligeramente (< 3 %). | |
| 2003 | |
| Memoria de congreso | |
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