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http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/15| CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE INxGA1-xN DEPOSITADAS POR CVD Y MOCVD SOBRE SUBSTRATOS DE SI Y AU/SIO2 | |
| ANTONIO RAMOS CARRAZCO | |
| ALEJANDRO LOPEZ ORTIZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución | |
| El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigación actual. En este proyecto de investigación se reporta el efecto de los substratos de silicio y dióxido de silicio cubierto con una capa de oro sobre el crecimiento del nitruro de galio-indio usando los métodos de depósito por vapor químico y de depósito por vapor químico organometálico. Las propiedades de estructura cristalina, superficie y emisión del InGaN son estudiadas utilizando las técnicas de caracterización de difracción de rayos X, microscopia electrónica, termoluminiscencia y catodoluminiscencia. | |
| 2015-06 | |
| Tesis de doctorado | |
| QUÍMICA | |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado en Ciencia de Materiales |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Tesis Antonio Ramos Carrazco.pdf | 4.45 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |