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CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE INxGA1-xN DEPOSITADAS POR CVD Y MOCVD SOBRE SUBSTRATOS DE SI Y AU/SIO2
ANTONIO RAMOS CARRAZCO
ALEJANDRO LOPEZ ORTIZ
Acceso Abierto
Atribución
El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigación actual. En este proyecto de investigación se reporta el efecto de los substratos de silicio y dióxido de silicio cubierto con una capa de oro sobre el crecimiento del nitruro de galio-indio usando los métodos de depósito por vapor químico y de depósito por vapor químico organometálico. Las propiedades de estructura cristalina, superficie y emisión del InGaN son estudiadas utilizando las técnicas de caracterización de difracción de rayos X, microscopia electrónica, termoluminiscencia y catodoluminiscencia.
2015-06
Tesis de doctorado
QUÍMICA
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