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http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/1669| Electroluminiscencia bajo tensión continua de dispositivos MOS basados en nanocristales de silicio obtenidos por LCVD | |
| Joan Juvert JORGE BARRETO FLORES | |
| Acceso Abierto | |
| Sin Derechos Reservados | |
| Silicio nanocristales LPCVD | |
| Se han realizado medidas de electroluminiscencia bajo tensión continua en dispositivos con nanocristales de silicio. Las capas enriquecidas en silicio se han obtenido mediante LPCVD y todo el proceso de fabricación en compatible con la tecnología CMOS. La luminiscencia bajo tensión continua se manifiesta en la aparición de puntos luminosos en la muestra. La intensidad que fluye por el dispositivo llega a un régimen de saturación así como la potencia emitida, lo cual se traduce en un máximo de eficiencia de electroluminiscencia para un cierto valor de la intensidad de corriente. | |
| 2009 | |
| Memoria de congreso | |
| Español | |
| OTRAS | |
| Versión revisada | |
| submittedVersion - Versión revisada | |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Congresos |
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| 6a Reunión Española de Optoelectrónica OPTOEL09.pdf | 835.42 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |