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Ferromagnetismo En Óxidos Metálicos Semiconductores, Inducido Por El Dopaje Con Metales De Transición y/ó Generación De Vacancias De Oxígeno
DANIEL ARMANDO CARBALLO CORDOVA
FRANCISCO ESPINOSA MAGAÑA
Acceso Abierto
Atribución
Física
La posibilidad de magnetismo inducido por vacancias de oxígeno o vacancias con metales de transición en Perovskitas BaTiO3 (BTO) y SrTiO3 (STO) cúbicas y LiNbO3 (LNO) hexagonal se investiga mediante cálculos de primeros principios, utilizando el método de proyector de ondas aumentadas, dentro de las aproximaciones de gradiente generalizado (GGA) y aproximaciones de gradiente generalizado con efecto in-situ (GGA + U), para el potencial de correlación e intercambio. Para BaTiO3-x y SrTiO3-x no estequiométricas, se crearon superceldas con el fin de tener dos concentraciones de vacancias, es decir, x = 0.125, 0.083. Para LiNbO3-Mn se creó una supercelda con un átomo de Mn como dopante, con concentración x=0.041 sobre los átomos de Li. Se presentan las distribuciones de carga de espín y los momentos magnéticos asociados con cada ion, incluida la densidad local de estados proyectada en átomos de Bader, así mismo se presenta un análisis completo de cargas de Bader realizado en dichas estructuras. Los resultados muestran que las vacancias de oxígeno podrían inducir magnetismo en BTO con x = 0.125 y x = 0.083 con aproximaciones GGA y GGA + U. Para STO con x = 0.125, el ferromagnetismo se induce con GGA, mientras que con GGA + U se conserva el estado no magnético. Por otro lado, con x = 0.083, el ferromagnetismo se induce bajo GGA y GGA + U. Para el caso del LiNbO3-Mn, se observa ferromagnetismo bajo GGA.
2018-12
Tesis de doctorado
Español
FUNDICIONES (GENERAL)
Versión aceptada
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