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http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/605| INCREMENTO DE LATEMPERATURA DE CURIE EN PELICULAS EPITAXIADAS DE Mn5Ge3 SOBRE SUSTRAROS DE Ge (001) MEDIANTE DOPAJE CON CARBONO | |
| JESUS LUIS ALBERTO PONCE RUIZ | |
| SION FEDERICO OLIVE MENDEZ | |
| Acceso Abierto | |
| Atribución-NoComercial-SinDerivadas | |
| El desarrollo de la vida moderna como la conocemos, con todas sus innovaciones
tecnológicas, han sido posibles en gran medida debido al desarrollo de la electrónica, la cual
se encuentra presente cada día, desde computadoras, teléfonos automóviles en fin cualquier
método de transporte y comunicación moderno. La electrónica ha usado la carga del electrón
para generar dispositivos, novedosos que pueden procesar y guardar información como nunca
antes, por medio de la tecnología del silicio principalmente CMOS (Complementary Metal
Oxide Semiconductor) pero esta llegara a su límite de velocidad de procesamiento,
recientemente ha surgido una nueva rama la espintrónica que se vale del espín del electrón
para conseguir un nuevo grado de libertad con lo cual se podrán tener transistores que sean
capases de realizar más operaciones lógicas en un menor espacio, lo que contribuye aún más
a la miniaturización, para que la tecnología de la espintrónica sea factible es necesario crecer
materiales ferromagnéticos que sean crecidos epitaxialmente sobre sustratos de la electrónica
convencional como el silicio y que estos a su vez sean capases de ordenar los espines para
obtener una corriente polarizada. La espintrónica también tiene aplicaciones en el almacenamiento de información, en los discos duros, se puede utilizar la orientación relativa del espín los dominios magnéticos con las cabezas lectoras, además de que para detectar estas orientaciones no es necesario aplicar una corriente externa por lo cual lleva a un menor consumo de energía. Por lo cual se ha investigado el material Mn5Ge3 un material ferromagnético que puede ser crecido sobre Ge (001) y este a su vez sobre Si (001) como un candidato para realizar la inyección de espín hacia un semiconductor, con una TC= 296K por lo cual se realizó un dopaje con carbono consiguiendo ferromagnetismo a cercano a 450K óptimo para aplicaciones electrónicas. | |
| 2015-11 | |
| Tesis de maestría | |
| BIOLOGÍA Y QUÍMICA | |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Ciencia de Materiales |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Tesis Jesús Luis Alberto Ponce Ruiz.pdf | 3.61 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |