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CARACTERIZACION DE MEMORIAS ELECTRICAS DE CAMBIO DE FASE MATERIAL: Ge4Sb1Te5
ROSALIA RUIZ SANTOS
Acceso Abierto
Atribución-NoComercial-SinDerivadas
El objetivo de este trabajo fue investigar el proceso de cristalización y las propiedades eléctricas de películas delgadas de Ge4Sb1Te5 (material para memoria óptica y eléctricas con transformación reversible de cambio de fase) utilizando las técnicas de impedancia 4 puntas, reflexión óptica, rayos X, DSC y respuesta piezo-eléctrica en microscopia de fuerza atómica. Con las mediciones isotérmicas de procesos de cristalización, utilizando el modelo JMAK modificado, se obtuvo el exponente cinético de Avrami n=1.8 el cual corresponde a un crecimiento controlado por difusión atómica, independiente de la forma de los núcleos pequeñas dimensiones con una velocidad de nucleación decreciente.
Resultados experimentales mostraron que Ge4Sb1Te5 tanto en bulto como en película mostraron propiedades ferroeléctricas con un temperatura de transición ferroeléctrica-paraeléctrica Tc= 327°C. La transición de Ge4Sb1Te5 fue reversible y probablemente relacionada con transformación cercana a la estructura GeTe fase cúbica centrada en las caras. Se encontró que las películas presentaron dominios ferroeléctricos con dimensión aproximadamente igual a la dimensión de granos. El campo eléctrico externo posiblemente incremente el grado de polarización de las películas de Ge4Sb1Te5.
Las películas crecidas bajo campo eléctrico mostraton una variación de la capacitancia, incrementando la temperatura de transición ferroeléctricapareléctrica cerca de dos órdenes de magnitud, comparados con las películas cristalizadas sin la presencia de campo eléctrico. Bajo la influencia del un campo eléctrico externo incrementa la dimensión de los granos, el cual puede ser relacionado con el incremento de la difusión atómica promoviendo el crecimiento de la fase cristalina durante el proceso de cristalización
2016
Tesis de maestría
BIOLOGÍA Y QUÍMICA
Aparece en las colecciones: Maestría en Ciencia de Materiales

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