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ESTUDIO DE TRANSISTORES FET DE CdS POR DIFERENTES FORMULACIONES MEDIANTE BAÑO QUIMICO
TEMISTOCLES MENDIVIL REYNOSO
RAFAEL RAMIREZ BON
SION FEDERICO OLIVE MENDEZ
Acceso Abierto
Atribución
En este capítulo se presentaran algunos antecedentes generales sobre la importancia de los transistores de efecto de campo (FET) en el avance tecnológico, así como las posibilidades que nos brinda la ciencia de los materiales, como características únicas y procesamiento de diferentes sustancias. Sustancias como el CdS, material a emplear en esta investigación, mencionando algunas aplicaciones del mismo y además se plantearon objetivos del trabajo. En el segundo capítulo se presenta la metodología, se listan las formulaciones de las reacciones así como se describe el procedimiento de cómo implementarlas, dos sistemas se emplean uno con glicina y otro con citrato de sodio que además incluye disoluciones M1, M2, M3 y M4 disminuyendo la concentración de cadmio respectivamente. Por otra parte, la caracterización de las películas de CdS así como una introducción a la técnica de depósito de estas. En el capítulo tres se describe cómo la combinación de diferentes tipos de estos materiales nos brindan la posibilidad fabricar dispositivos FET, se realiza una revisión de los conceptos más importantes de transistores FET, su clasificación y principales características. Además se presenta el proceso de fabricación usado en el desarrollo del FET a base de capas CdS como canal activo empleadas en este trabajo. En el cuarto capítulo se presentan el desarrollo experimental y resultados obtenidos al fabricar los transistores pseudo MOSFET todos estos poseen una capa activa de CdS depositada por baño químico, se muestran las curvas de Corriente contra voltaje que nos permitirán determinar las propiedades eléctricas de los dispositivos, también se mostraran propiedades morfológicas tanto superficiales y estructurales que caracterizan al material. Se presentaran tres estudios: en el primero de ellos la formulación química de películas de sulfuro de cadmio (CdS) emplea glicina, en el segundo estudio se observa el efecto del tratamientos térmicos en las propiedades eléctricas de la
capa activa de CdS de los dispositivos TFT para diferentes atmosferas como nitrógeno, argón y forming gas (N2-H2) para la formulación M2, así como también la combinación de los tratamientos de forming gas con inmersiones en una solución saturada en CdCl. Por último, se fabricaron bicapas de las diferentes formulaciones, específicamente M1/M4, M2/M4, M3/M4 y M4/M4 para estudiar su efecto en las propiedades eléctricas como capa activa de los dispositivos TFT de CdS.
2015-05
Tesis de doctorado
Español
QUÍMICA
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