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SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
DAVID GUTIERREZ NARANJO
SION FEDERICO OLIVE MENDEZ
Acceso Abierto
Atribución
En el presente trabajo, se estudió el crecimiento cristalino de películas delgadas de MnGe2, el cual es un material semiconductor magnético diluido (SMD) que presenta interesantes propiedades magnéticas y posible aplicación en dispositivos espintrónicos. Las películas delgadas de MnGe2 se depositaron sobre sustratos de Ge(001) y InAs(001) mediante la técnica de pulverización catódica o sputtering. La microscopía electrónica de barrido (SEM) permitió la medición de espesores para la obtención de las curvas de calibración empleadas en el cálculo de las potencias en el crecimiento de las películas delgadas de MnGe2 mediante co-depósito en RF-sputtering. Hemos comprobado la influencia de la temperatura de crecimiento en la solubilidad del Mn en Ge y la homogeneidad de las películas delgadas de MnGe2 siendo la temperatura ideal para el crecimiento alrededor de 80°C. La caracterización de estructural se efectuó por medio de microscopía electrónica de transmisión (TEM) que junto con un análisis utilizando el software de cristalografía Carine, se obtuvieron los parámetros de red, las direcciones de crecimiento y las relaciones epitaxiales. Mediante difracción de rayos X (XRD) se confirma el crecimiento de únicamente la estructura tetragonal del MnGe2 descartando con ello la formación de nanocolumnas de MnGe2 con estructura cúbica en forma de diamante. Se observó a partir de las mediciones magnéticas que la temperatura de Curie del MnGe2 se encuentra debajo de la temperatura ambiente y se estimó el momento magnético por átomo de Mn en 1.0 µB.
2014-11
Tesis de maestría
Español
QUÍMICA
Aparece en las colecciones: Maestría en Ciencia de Materiales

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