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MODIFICACIÓN DE LA MAGNETIZACIÓN EN PELÍCULAS DELGADAS DE t-Mn3Ga
ROCIO MARGARITA GUTIERREZ PEREZ
JOSE TRINIDAD HOLGUIN MOMACA
JOSE TRINIDAD ELIZALDE GALINDO
JOSE ANDRES MATUTES AQUINO
CARLOS ROBERTO SANTILLAN RODRIGUEZ
SION FEDERICO OLIVE MENDEZ
Acceso Abierto
Sin Derechos Reservados
MAGNETIZACIÓN
Se sintetizaron películas de t-Mn3Ga y t-Mn3Ga:C sobre diferentes sustratos, utilizando la técnica de erosión catódica (sputtering), con el fin de modificar sus propiedades magnéticas mediante la inducción de esfuerzos en la red cristalina del Mn3Ga. La película de Si(001)/SiO2/Mn3Ga de 2 nm de espesor presentó una magnetización de saturación (Ms) fuera del plano de 1690 emu/cm3, lo cual corresponde a 15 veces el valor de magnetización del material en bulto. Por otro lado, al dopar el material con C se observó que conforme se incrementa el % molar de C, la anisotropía magnética de la película cambia de perpendicular a paralela, llegando a un límite de 36 %mol. de C antes de que se presente un cambio de fase. Por último, la película de Mn3Ga crecida sobre la capa buffer de Cr presenta una deformación de 0.5% en la red cristalina, lo cual incrementó la Ms a un valor de 150 emu/cm3, comparado con el material en bulto que tiene una magnetización de 110 emu/cm3
2015
Póster de congreso
Español
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